HISTORIA DE LAS MEMORIAS.
Iniciamos este recorrido con la
Memoria SIMM
Con su acronimo en ingles (Single In Line Memory Module) es una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria. Su nombre lo recibe por que los contactos se comparten de ambos lados de la memoria.Las celdas de esta memoria están construidas a base de capacitadores.
Hay dos tipos una de 30 y otra de 72 pines. Los de 30 vienen en capacidades de 256K y 1Mb. Los de 72 vienen en versiones 4, 8, 16, 32.
Memoria SIMM de 70. Esta imagen fue tomada de: http://k-therin.lacoctelera.net/post/2012/03/10/historia-la-memoria-ram |
Esta imagen fue tomada de http://soportetecnicomj.blogspot.com/2011/06/caracteristicas-de-la-memoria-simm.html |
Memorias DIMM
La memoria DIMM (Dual In Line MemoryModule) Los módulos de la memoria se disponen en paralelo,contactos electrónicos separados, cada uno independiente del otro. Permitía trabajar con 64 bits con un solo modulo. Una variante es que trabajaba en vez de 64 bits en 72. El motivo de esto era que en vez de enviar los datos en paquetes de 8 bits los mandaba en paquetes de 9, siendo el ultimo bit para detectar y corregir errores en la transmisión.
Esta imagen fue tomada de: http://www.mastermagazine.info/termino/wp-content/uploads/DIMM.jpg |
DIP
Siglas de Dual In Line Package, un tipo de encapsulamiento consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de conexión en cada lado.
DDR
DDR, Double Data Rate, significa memoria de doble tasa de transferencia de datos en castellano. Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GiB.
DDR2
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de “escucha” por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.
DDR3
Estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-1600 MHz, comparado con el rango actual del DDR 2 de 533-800 MHz ó 200-400 MHz del DDR.
Se prevé que la tecnología DDR 3 sea dos veces más rápida que la DDR 2, la memoria con mayor velocidad hoy en día, y el alto banda ancha que prometió ofrecer DDR 3 es la mejor para la combinación de un sistema dual y procesadores “quad core”.
Se prevé que la tecnología DDR 3 sea dos veces más rápida que la DDR 2, la memoria con mayor velocidad hoy en día, y el alto banda ancha que prometió ofrecer DDR 3 es la mejor para la combinación de un sistema dual y procesadores “quad core”.
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